Alemana Infineon anuncia avance en chips: "Cambiará la industria"

 DPA

La empresa alemana Infineon anunció hoy un gran avance en la producción de semiconductores basados en nitruro de galio, de la que espera obtener ventajas en los costes de la fabricación de estos componentes en los próximos años.

En concreto, la compañía de Neubiberg, cerca de Múnich, afirmó haber logrado producir el material en obleas de 300 milímetros. Según sus propios datos, es la primera empresa del mundo en hacerlo.

Infineon espera ahora un crecimiento significativo de estos componentes, que son importantes, entre otras cosas, para los cargadores de los aparatos electrónicos, pero también desempeñan un papel en los servidores de inteligencia artificial, los sistemas solares y la electromovilidad.

"Este avance tecnológico cambiará la industria", declaró el CEO de Infineon, Jochen Hanebeck.

"Hasta ahora, somos los únicos que podemos producir nitruro de galio (GaN) en obleas de 300 milímetros". Algunos competidores siguen produciendo en obleas de 150 milímetros "y quieren pasar a 200 milímetros, donde nosotros ya estamos", añadió.

La diferencia es mayor de lo que parece a primera vista: en una oblea de 300 milímetros se pueden producir 2,3 veces más semiconductores que en una de 200 milímetros.

"La producción en 300 milímetros nos abre nuevas dimensiones en términos de productividad y, por tanto, de costes", subrayó Hanebeck.

"También nos beneficiamos del hecho de que podemos hacer funcionar las obleas de GaN más grandes en los sistemas existentes para silicio tras unos pocos pasos específicos. Los precios de mercado del GaN convergerán con los del silicio en los próximos años, afirmó.

En su opinión, las obleas de mayor tamaño acelerarán esta tendencia y fomentarán el uso de GaN: "Esto contribuirá a impulsar el mercado de este material, y esperamos desempeñar un papel importante en este sentido".

La producción, que se intensificará en los próximos años, tendrá lugar en la planta austriaca de Villach, donde también se llevó a cabo el desarrollo.

Hanebeck también explicó por qué no fue una tarea fácil: "El nitruro de galio crece sobre un disco de silicio clásico. La dificultad estriba en que ambos materiales no coinciden en cuanto a su estructura cristalina, y cuanto mayor es el disco, mayor es la tensión. Con una oblea de 300 milímetros, esto equivaldría a cuatro elefantes sobre una moneda de un céntimo".